[发明专利]一种柔性单晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201610760822.9 | 申请日: | 2016-08-24 |
公开(公告)号: | CN106298999A | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 谢小两;刘宁;施佳峰 | 申请(专利权)人: | 宁波欧达光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 315100 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明的一种柔性单晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法,太阳能电池的组成结构依次为基底、铝电极、薄膜层以及金电极,铝电极和金电极分别通过沉积的方式设置于薄膜层两侧,铝电极设置于基底上,其中,薄膜层包括含硼单晶硅、磷源以及铬薄膜,铬薄膜上沉积有金电极,含硼单晶硅的背面设置有铝电极。从而通过提高柔性薄膜的适应性,得以使薄膜应用于不同的基底材料,以便于实现经济、快速、可大面积制作的柔性薄膜太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 单晶硅 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性单晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法,其特征在于,所述太阳能电池的组成结构依次为基底、铝电极、薄膜层以及金电极,所述铝电极和所述金电极分别通过沉积的方式设置于所述薄膜层两侧,所述铝电极设置于所述基底上,其中,所述薄膜层包括含硼单晶硅、磷源以及铬薄膜,所述铬薄膜上沉积有所述金电极,所述含硼单晶硅的背面设置有所述铝电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的