[发明专利]感测控制信号发生电路和包括其的半导体存储器件有效
| 申请号： | 201610752057.6 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106910524B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 金英镒 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/26;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种感测控制信号发生电路和包括其的半导体存储器件。在一个实施例中，半导体存储器件可以包括：存储块，适用于包括串联耦接的多个存储单元和分别耦接到多个位线的多个单元串；页缓冲器，适用于响应于感测控制信号而耦接到相应位线，且每个页缓冲器适用于感测被传送给感测节点的相应位线的电压，以及储存与感测的结果相对应的数据或者暂时储存要被编程至选中存储单元中的数据；以及感测控制信号发生单元，适用于在编程操作期间产生具有以恒定斜率上升的斜坡信号的形式的感测控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 测控 信号 发生 电路 包括 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储块，包括分别耦接到多个位线的多个单元串；页缓冲器，响应于感测控制信号而耦接到相应位线，每个页缓冲器适用于感测被传送给感测节点的相应位线的电压；以及感测控制信号发生单元，适用于在编程操作期间将感测控制信号产生为以恒定斜率上升的斜坡信号。
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