[发明专利]横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P⁺接触区；P型区由内边界向外边界分成6₁、6₂….6_N N个子区域，曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区分别与直线结终端结构中的漏极N⁺接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区相连并形成环形结构，本发明通过对曲率终端结构中的P型区采用多窗口注入进而对N型漂移区浓度进行杂质补偿，从而降低N型漂移区的浓度，使得N型漂移区被低浓度的P型衬底完全耗尽，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

主权项

1.一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于：包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)、N型漂移区(2)内部的P型区、源极P⁺接触区(8)，P型区由内边界向外边界分成(6₁、6₂….6_N)N个子区域，相邻子区域之间填充N型漂移区(2)，N型漂移区(2)和P型区包括沿直线结终端到曲率结终端方向底部的方型区域和顶部的半圆区域，Pwell区(6)上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)分别与直线结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)、直线结终端结构中的N型漂移区(2_b)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)相连并形成环形结构，而子区域(6₁、6₂….6_N)都和直线结终端结构中的N型漂移区(2_b)相连；其中，曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)包围N型漂移区(2)，N型漂移区(2)内有环形栅极多晶硅(4)、环形栅氧化层(5)和环形Pwell区(6)；子区域(6₁、6₂….6_N)的宽度分别为S₁、S_2….S_N，相邻子区域之间的距离分别为d₁、d₂….d_N‑1，第N子区域(6_N)与N型漂移区(2)的外边界距离为d_N，L_d为器件的漂移区长度，其中，d₁、d₂….d_N以及S₁、S_2….S_N的取值均在0到L_d‑L_p之间，且P‑well区(6)与直线结终端结构中的N型漂移区(2_b)不相连且两者的间距为L_P。