[发明专利]横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P⁺接触区；曲率结终端结构中的N⁺接触区、栅极多晶硅、栅氧化层、分别与直线结终端结构中的N⁺接触区、栅极多晶硅、栅氧化层相连并形成环形结构，N型漂移区由内边界向外边界分成2₁、2₂….2_NN个子区域，漏极N⁺接触区包围子区域2₁、2₂….2_N，由于本发明的结构曲率结终端部分的N型漂移区与P型衬底交界处的N型掺杂浓度相比传统结构要降低许多，所以P型衬底能更有效的耗尽N型漂移区，所以器件的耐压得到更好优化。

主权项

1.一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于：包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、P‑well区(6)、源极P⁺接触区(8)，N型漂移区(2)由内边界向外边界分成(2₁、2₂….2_N)N个子区域，相邻子区域之间填充P型衬底(3)，N型漂移区(2)和P型衬底(3)包括沿直线结终端到曲率结终端方向底部的方型区域和顶部的半圆区域，P‑well区(6)表面上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)分别与直线结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)相连，而子区域(2₁、2₂….2_N)都和直线结终端结构中N型漂移区(2_b)相连；其中，曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区(1)包围子区域(2₁、2₂….2_N)，N型漂移区(2)内有环形栅极多晶硅(4)和环形栅氧化层(5)；曲率结终端结构中的P‑well区(6)与子区域(2₁、2₂….2_N)不相连且P‑well区(6)距离第一子区域(2₁)的内边界的距离为L_P，子区域(2₁、2₂….2_N)的宽度分别为d₁、d₂….d_N，相邻子区域之间的距离分别为S₁、S₂….S_N‑1，L_d为器件的漂移区长度，其中，d₁、d₂….d_N以及S₁、S₂….S_N‑1的取值均在0到L_d‑L_p之间，且