[发明专利]横向高压功率器件的结终端结构

摘要

本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N⁺接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、P型区、源极P⁺接触区；P型区内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域6₁、6₂….6_N；曲率结终端结构中的漏极N⁺接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区分别与直线结终端结构中的漏极N⁺接触区、N型漂移区、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区相连并形成环形结构，本发明通过对曲率终端结构中的P型区采用多窗口注入进而对N型漂移区浓度进行杂质补偿，从而降低N型漂移区的浓度，使得N型漂移区被低浓度的P型衬底完全耗尽，避免器件提前击穿，从而得到最优化的击穿电压。

主权项

1.一种横向高压功率器件的结终端结构，其特征在于：包括直线结终端结构和曲率结终端结构；所述曲率结终端结构包括漏极N+接触区(1)、N型漂移区(2)、P型衬底(3)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)、N型漂移区(2)内部的P型区、源极P+接触区(8)，N型漂移区(2)和P型区包括沿直线结终端到曲率结终端方向下部的方型区域和上部的半圆区域，P型区内外边界之间的部分沿周向依次分成多个不相连的子区域(61、62….6N)；相邻子区域之间填充N型漂移区(2)，每个子区域有两个顶点落在N型漂移区(2)靠近P形衬底(3)的内边界上，两个顶点位于N型漂移区(2)的外边界上，每个子区域位于外边界的一端的长度小于位于内边界的一端的长度，子区域位于外边界的一端的长度分别为d1,1、d1,2….d1,N，子区域位于内边界的一端的长度分别为d0,1、d0,2……d0,N‑1、d0,N，相邻两个子区域位于N型漂移区内侧边界上的一端之间的距离分别为L0,2、L0,3……L0,N‑1、L0,N，此外，最外侧两个子区域与直线结终端结构中的N型漂移区(2b)上边界的内边界一侧距离分别为L0,1、L0,N+1；相邻两个子区域位于N型漂移区外侧边界上的一端之间的距离分别为L1,2、L1,3……L1,N‑1、L1,N，此外，最外侧两个子区域与直线结终端结构中的N型漂移区(2b)上边界的外边界一侧距离分别为L1,1、L1,N+1；Pwell区(6)上方是栅氧化层(5)，栅氧化层(5)的表面上方是栅极多晶硅(4)；曲率结终端结构中的漏极N+接触区(1)、N型漂移区(2)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)分别与直线结终端结构中的漏极N+接触区(1)、N型漂移区(2b)、栅极多晶硅(4)、栅氧化层(5)、Pwell区(6)相连并形成环形结构，其中，曲率结终端结构中的漏极N+接触区(1)包围N型漂移区(2)，N型漂移区(2)内有环形栅极多晶硅(4)、环形栅氧化层(5)和Pwell区(6)，Ld为器件直线结终端区的漂移区长度。