[发明专利]分子印迹聚合物膜修饰-两电极电化学微流控芯片及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201610722007.3 申请日: 2016-08-25
公开(公告)号: CN106362810B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 李迎春 申请(专利权)人: 李迎春
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00;G01N27/48
代理公司: 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人: 刘洪京
地址: 832002 新疆维吾尔*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开了一种分子印迹聚合物膜修饰‑两电极电化学微流控芯片,由第一基板和第二基板固定连接而成,第一基板上设有贯穿的溶液进样口,第一基板内设有检测池,两块基板之间埋设有连接溶液进样口和检测池的流通管道,第一基板的外侧面上设有金丝电极、铂丝电极和废液排出口,金丝电极和铂丝电极分别穿透第一基板外侧面至检测池中,废液排出口与检测池连通;金丝电极上修饰有分子印迹聚合物膜;以及制备方法和应用。本发明具有超高的检测灵敏度和准确性,高于其他电化学检测器件。
搜索关键词: 分子 印迹 聚合物 修饰 电极 电化学 微流控 芯片 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种用分子印迹聚合物膜修饰‑两电极电化学微流控芯片检测华法林钠的方法,其特征在于:所述分子印迹聚合物膜修饰‑两电极电化学微流控芯片由第一基板和第二基板固定连接而成,第一基板上设有贯穿的溶液进样口,第一基板内设有检测池,两块基板之间埋设有连接溶液进样口和检测池的流通管道,第一基板的外侧面上设有金丝电极、铂丝电极和废液排出口,金丝电极和铂丝电极分别穿透第一基板外侧面至检测池中,废液排出口与检测池连通;金丝电极上修饰有分子印迹聚合物膜;具体检测过程包括:①、金丝作为工作电极,铂丝作为对电极和参比电极,以0.5 mL/min的流速经溶液进样口注入0.1 mol/L [Fe(CN)6]3−/4−,通过循环伏安扫描,扫描条件为起止电位−0.6~0.6 V,扫速100 mV/s,循环3圈,记录最大还原峰电流;②、以0.01~0.2 mL/min的流速经溶液进样口注入样品溶液,5 min后停止泵液;③、以0.5 mL/min流速经溶液进样口泵入蒸馏水0.5 mL;④、继续以0.5 mL/min的流速经溶液进样口注入[Fe(CN)6]3−/4−,记录结合华法林钠后的最大还原峰电流,计算与步骤①所得峰电流的差值,利用此差值即可计算样品中华法林钠的浓度;⑤、最后向芯片中泵入1 mL氢氧化钠溶液,通过循环伏安法洗脱掉印迹膜中的华法林钠分子,洗脱条件为起止电位−0.5~0.5 V,扫速100 mV/s,循环2圈。
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