[发明专利]铝蚀刻的方法

摘要

本发明提供一种铝蚀刻的方法，通过调节干蚀刻制程中蚀刻腔体内的温度和压力条件，使得氯化铝保持气体状态，减少氯化铝颗粒的生成，抽气后蚀刻腔体内氯化铝的残留量很小，从而降低蚀刻腔体内含铝化合物的含量，减少含铝颗粒物的产生；或者通过在干蚀刻制程之后氟‑氯置换制程之前，增加气体冲洗步骤，降低蚀刻腔体内含铝化合物的含量，减少含铝颗粒物的产生；又或者通过在干蚀刻制程之前增加蚀刻腔体的清洁步骤，降低蚀刻腔体内含铝化合物的含量，减少含铝颗粒物的产生，以上三种方法均可减少蚀刻腔体内含铝颗粒物的含量，使得干蚀刻制程中颗粒物掉落于待蚀刻膜层上的概率减少，解决了线路蚀刻残留和短路的问题，提高产品良率。

主权项

1.一种铝蚀刻的方法，其特征在于，包括：步骤1、提供一铝膜基板，所述铝膜基板包括衬底基板及设于所述衬底基板上的铝膜，在所述铝膜上涂布光阻层，采用光罩对光阻层进行曝光显影形成光阻层图形；步骤2、提供一干蚀刻设备，所述干蚀刻设备具有蚀刻腔体，将带有光阻层图形的铝膜基板放入所述蚀刻腔体中，向所述蚀刻腔体内通入含氯气体，对铝膜基板进行蚀刻，所述含氯气体对铝膜上未被光阻层图形覆盖的部分进行蚀刻，得到设计图案，在蚀刻过程中，含氯气体与铝膜反应生成氯化铝；步骤3、向所述蚀刻腔体内通入冲洗气体，将所述蚀刻腔体内的大部分氯化铝冲到与所述蚀刻腔体相连的排气系统中，降低所述蚀刻腔体内氯化铝的含量；步骤4、采用抽气设备抽出所述蚀刻腔体内的大部分气体，通入含氟气体，通电解离后，含氟气体的等离子体与蚀刻腔体内残留的氯化铝发生反应，含氟气体中的氟元素与氯化铝中的氯元素进行置换，生成氟化铝。