[发明专利]基于超小周期银纳米柱阵列的有机太阳能电池及制备方法有效
申请号: | 201610715831.6 | 申请日: | 2016-08-25 |
公开(公告)号: | CN106129255B | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 郝玉英;王文艳;崔艳霞;武银兰;张叶;冀婷;孙钦军;李战峰 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池领域,特别是涉及有机太阳能电池领域。一种基于超小周期银纳米柱阵列的有机太阳能电池,活性层上具有与银纳米柱阵列对应的凹槽阵列,每个凹槽中插入一根银纳米柱,银纳米柱阵列的最小化单元为正三角形,银纳米柱阵列的最小化单元中纳米柱的直径为12 nm,高度为35 nm,相邻的银纳米柱之间的距离均为12 nm。本发明利用超小周期的银纳米圆柱阵列极大地增强了有机太阳能电池中超薄活性层在350 nm‑850 nm波长范围内的光吸收能力,同时获得了广角度的高效光吸收特性。 | ||
搜索关键词: | 基于 周期 纳米 阵列 有机 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于超小周期银纳米柱阵列的有机太阳能电池,其特征在于:由顺序排列的厚度为100nm的铟锡氧化物层作为电池的阳极、厚度为20 nm‑30 nm的聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸薄膜作为阳极缓冲层、厚度为40 nm‑90nm的导电聚合物给体材料与富勒烯衍生物受体材料均匀混合物薄膜作为活性层、厚度为235nm的银纳米柱阵列层作为电池的阴极,银纳米柱阵列层由厚度为200 nm的银膜和与银膜成一体化结构高度为35 nm的银纳米柱阵列组成,银纳米柱阵列的最小化单元为正三角形,银纳米柱阵列的最小化单元中纳米柱的直径为12 nm,高度为35 nm,相邻的银纳米柱之间的距离均为12 nm,活性层上具有与银纳米柱阵列对应的凹槽阵列,每个凹槽中插入一根银纳米柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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