[发明专利]DDR内存供电电路在审
| 申请号： | 201610713865.1 | 申请日： | 2016-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN106406483A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 龚湘潮 | 申请（专利权）人： | 柳州鹏达科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F1/26 | 分类号： | G06F1/26 |
| 代理公司： | 柳州市集智专利商标事务所45102 | 代理人： | 韦永青 |
| 地址： | 545006 广西壮族自治区柳州*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DDR内存供电电路，涉及计算机设备制造技术领域；包括第一电阻和双运算放大器模块，所述第一电阻、第二电阻和第三电阻串联连接，所述双运算放大器模块的同相输入端与所述第二电阻和第三电阻的连线连接，所述双运算放大器模块的反相输入端与第五电阻和第六电阻串联连接，所述双运算放大器模块的输出端通过第四电阻与场效应管的G极连接，所述场效应管的D极与电源端连接，所述场效应管的S极与所述第五电阻和第六电阻的连线连接。本发明可以成为现有技术的一种替代方案。 | ||
| 搜索关键词： | ddr 内存 供电 电路 | ||
【主权项】：
一种DDR内存供电电路，其特征在于：包括第一电阻（R1）和双运算放大器模块（1），所述第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（R3）串联连接，所述双运算放大器模块（1）的同相输入端与所述第二电阻（R2）和第三电阻（R3）的连线连接，所述双运算放大器模块（1）的反相输入端与第五电阻（R5）和第六电阻（R6）串联连接，所述双运算放大器模块（1）的输出端通过第四电阻（R4）与场效应管（Q）的G极连接，所述场效应管（Q）的D极与电源端连接，所述场效应管（Q）的S极与所述第五电阻（R5）和第六电阻（R6）的连线连接。
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