[发明专利]一种稀土Ce掺杂Ti/Sb‑SnO2电极的制备方法在审
| 申请号： | 201610710298.4 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106167290A | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 杨梅 | 申请（专利权）人： | 杨梅 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F101/30 |
| 代理公司： | 广州三辰专利事务所(普通合伙) 44227 | 代理人： | 范钦正 |
| 地址： | 512023 广东省韶关市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种稀土Ce掺杂Ti/Sb‑SnO2电极及其制备方法。所述稀土Ce掺杂Ti/Sb‑SnO2电极包括钛基片、在钛基片表面涂覆涂液后氧化形成的Ti/Sb‑SnO2层以及在Ti/Sb‑SnO2层表面反复涂覆Ce活性层形成Ce掺杂的Ti/Sb‑SnO2电极，其制备方法包括Ti电极的制备、Ti/Sb‑SnO2电极的制备、Ce掺杂Ti/Sb‑SnO2电极的制备等步骤。本发明利用稀土元素Ce特殊的原子结构及其化合物具有特殊的光、电、磁性质以及其较高的热稳定性提高电极的催化活性和电流效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 ce 掺杂 ti sb sno sub 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种稀土Ce掺杂Ti/Sb‑SnO2电极，其特征在于，其包括钛基片、在钛基片表面涂覆涂液后氧化形成的Ti/Sb‑SnO2层以及在Ti/Sb‑SnO2层表面反复涂覆Ce活性层形成的Ce掺杂的Ti/Sb‑SnO2电极。
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