[发明专利]改善BITO断裂的阵列基板及其制作方法与液晶显示面板有效
| 申请号： | 201610700925.6 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106169441B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张占东;陈辰 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/136 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善BITO断裂的阵列基板的制作方法，包括：在基板上制作形成低温多晶硅薄膜晶体管；在所述低温多晶硅薄膜晶体管上表面形成有机膜层；在所述有机膜层上制备公共电极；其中，在所述有机膜层上制备公共电极步骤之前先对所述有机膜层疏水处理。本发明还公开了一种改善BITO断裂的阵列基板及液晶显示面板。通过在阵列基板的有机膜层上制备公共电极步骤之前先对有机膜层疏水处理，降低了有机膜层界面处透明公共电极的蚀刻速率，避免了钝化层断裂造成的BITO异常。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 bito 断裂 阵列 及其 制作方法 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
一种改善BITO断裂的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板(1)上制作形成低温多晶硅薄膜晶体管(10)；在所述低温多晶硅薄膜晶体管(10)上表面形成有机膜层(20)；在所述有机膜层(20)上制备公共电极(30)；其中，在所述有机膜层(20)上制备公共电极(30)步骤之前先对所述有机膜层(20)疏水处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
