[发明专利]透射电子显微镜样品结染色的方法有效

专利信息
申请号: 201610694441.5 申请日: 2016-08-19
公开(公告)号: CN106338420B 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: 陈强;陈胜 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28;G01N1/30
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种透射电子显微镜样品结染色的方法,包括:处理芯片样品至露出接触孔;使用第一化学试剂去除接触孔中的填充物;使用第二化学试剂去除接触孔下方结中的掺杂硅;在制样区域上方沉积填充保护层;利用离子束切割透射电子显微镜样品的相对侧部的两个面以形成透射电子显微镜样品薄片,其中离子束不直接切割制样区域的Si,而是针对每个面侧向地保留距离制样区域的预定厚度的SiO2
搜索关键词: 透射 电子显微镜 样品 染色 方法
【主权项】:
1.一种透射电子显微镜样品结染色的方法,其特征在于,包括:第一步骤:处理芯片样品至露出接触孔;第二步骤:使用第一化学试剂去除接触孔中的填充物;第三步骤:使用第二化学试剂去除接触孔下方结中的掺杂硅;第四步骤:在制样区域上方沉积填充保护层,所述填充保护层填满所述接触孔和所述接触孔下方的结,所述填充保护层用于提高材质衬度;第五步骤:利用离子束切割透射电子显微镜样品的相对侧部的两个面以形成透射电子显微镜样品薄片,其中离子束不直接切割制样区域的Si,而是针对每个面侧向地保留距离制样区域的预定厚度的SiO2,且形成的所述透射电子显微镜样品薄片上能够完全保留所述结上的所述掺杂硅的形貌。
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