[发明专利]应用于血氧检测的高线性动态范围光电传感器有效

专利信息
申请号: 201610675216.7 申请日: 2016-08-16
公开(公告)号: CN106330105B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 唐枋;叶楷;舒洲;周喜川;胡盛东;甘平;李世平;殷鹏;陈卓;陈银晖;谭跃;王忠杰;黄莎琳;李明东;夏迎军 申请(专利权)人: 重庆湃芯微电子有限公司
主分类号: H03F1/14 分类号: H03F1/14;H03F3/45;H03K7/06;A61B5/1455
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 赵荣之
地址: 400039 重庆市九龙坡区高新区石桥铺石杨路*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明涉及一种应用于血氧检测的高线性动态范围光电传感器,包括差分运算放大器A1、差分运算放大器Aau、光电二极管阵列PD、电流镜和脉冲频率调制器PFM;所述电流镜包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3和NMOS管M4。本发明提出了将光电二极管零偏,并通过放大器监控机制调节放大器失调电压接近于0的技术,实现了在芯片上仅采用单个光电二极管就能满足高动态线性范围的需求,大大减小了光电传感器芯片的面积,节约了成本,同时性能也显著提高,适合于高精度的血氧检测仪系统之中。
搜索关键词: 应用于 检测 线性 动态 范围 光电 传感器
【主权项】:
1.一种应用于血氧检测的高线性动态范围光电传感器,其特征在于:包括差分运算放大器A1、差分运算放大器Aau、光电二极管阵列PD、电流镜和脉冲频率调制器PFM;所述电流镜包括NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3和NMOS管M4,所述NMOS管M1的漏极与NMOS管M2的漏极接电源VDD,NMOS管M1的栅极与NMOS管M2的栅极连接,NMOS管M1的源极分别与NMOS管M1的栅极、NMOS管M4的漏极、差分运算放大器Aau的正向输入端连接,所述NMOS管M2的源极分别与NMOS管M3的漏极、差分运算放大器Aau的反向输入端连接,差分运算放大器Aau的输出端与NMOS管M3的栅极连接,NMOS管的源极与脉冲频率调制器PFM连接,NMOS管M4的栅极与差分运算放大器A1的输出端连接,差分运算放大器A1的正向输入端接地,差分运算放大器A1的反向输入端与NMOS管M4的源极连接,NMOS管M4的源极经光电二极管阵列PD接地;所述差分运算放大器A1的输出端经负载电容CC接地;所述差分运算放大器A1用来调节NMOS管M4的Vn端电压;所述差分运算放大器A1和NMOS管M4,差分运算放大器Aau和NMOS管M3组成增益自举结构,提高NMOS管M4和NMOS管M3漏极的视入电阻,让电流镜更接近理想;将所述光电二极管零偏,并通过放大器监控机制调节放大器失调电压接近于0。
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