[发明专利]沟槽栅场效应晶体管及制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽栅场效应晶体管，包括：漂移区和体区，沟槽穿过体区并进入到漂移区中；在沟槽中形成有栅介质层和多晶硅栅；在沟槽的底部的漂移区中形成有反掺杂层，反掺杂层由第二导电类型杂质和漂移区的第一导电类型杂质叠加形成，第二导电类型杂质在沟槽形成后以及栅介质层和多晶硅栅形成前通过垂直的离子注入形成并使反掺杂层自对准位于沟槽的底部，反掺杂层用于降低沟槽底部的漂移区的电场强度，能在不降低漂移区的掺杂浓度和增加漂移区的厚度的条件下提高器件的击穿电压。本发明还公开了一种沟槽栅场效应晶体管的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压同时不牺牲器件的其它性能。

主权项

一种沟槽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的漂移区和第二导电类型的体区，所述体区位于所述漂移区的表面；所述漂移区形成于半导体衬底表面；沟槽，所述沟槽穿过所述体区并进入到所述漂移区中；在沟槽的内部表面形成有栅介质层，在所述沟槽中填充有多晶硅栅；被所述多晶硅栅侧面覆盖的所述体区表面用于形成沟道；在所述沟槽的底部的所述漂移区中形成有反掺杂层，所述反掺杂层由第二导电类型杂质和所述漂移区的第一导电类型杂质叠加形成，所述第二导电类型杂质在所述沟槽形成后以及在所述沟槽中形成所述栅介质层和所述多晶硅栅之前通过垂直的离子注入形成并使所述反掺杂层自对准位于所述沟槽的底部，所述反掺杂层用于降低所述沟槽底部的漂移区的电场强度，能在不降低所述漂移区的掺杂浓度和增加所述漂移区的厚度的条件下提高器件的击穿电压。