[发明专利]一种高压半导体器件短期失效模型的建模方法有效
| 申请号： | 201610663634.4 | 申请日： | 2016-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN106295013B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋烨;蔡博;赵争鸣;乔光尧;陆振纲;雷晰;李凯;于弘洋;蔡林海;曾洪涛;周飞;潘冰;袁立强 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;清华大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种高压半导体器件的短期失效模型的建模方法，包括：根据高压半导体器件的内部元胞结构得到正常工作模型；建立根据所述高压半导体器件失效后的器件模型；检测所述高压半导体器件的工作参数；当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。由此，可以有效地同时描述失效发展过程中的器件行为和器件失效的最终状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 半导体器件 短期 失效 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体器件短期失效模型的建模方法，其特征在于，包括：根据所述高压半导体器件的内部元胞结构得到所述高压半导体器件的正常工作模型；建立所述高压半导体器件失效后的器件模型；检测所述高压半导体器件的工作参数；当所述工作参数满足失效边界条件时，从所述正常工作模型切换到所述失效后的器件模型。
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