[发明专利]一种掩膜电解加工微结构阵列的方法有效
| 申请号： | 201610661385.5 | 申请日： | 2016-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107717148B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 秦歌;周奎;罗晨旭;王冠;程丹佛;赵西梅;李润清;明平美;张新民 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | B23H9/00 | 分类号： | B23H9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 454003 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提出一种掩膜电解加工微结构阵列的方法，属于电解加工领域。包括下列步骤:（a）制作掩膜成型的诱导装置。包括：1.在基底（1）上制作支架（2）；2.基底（1）表面疏水处理，制作疏水层（3）；3.涂覆聚合物（4）；4.装配诱导装置；（b）诱导聚合物（4）图形化；（c）固化诱导成型的聚合物（4），在金属平板工件（5）上得到图形化聚合物（7）；（d）电解加工微结构阵列。本发明采用电诱导结合超疏水工艺进行图形转移方法制作电解加工中的图形化掩膜结构，避免了图形之间聚合物在基底表面上的残留，保证了掩膜图形之间的金属裸露和后期的电解加工的顺利进行，工艺简单，成本低，效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 电解加工 微结构阵列 聚合物 掩膜 诱导装置 图形化 制作 基底 成型 金属平板工件 图形化掩膜 涂覆聚合物 诱导聚合物 表面疏水 基底表面 金属裸露 图形转移 掩膜图形 超疏水 电诱导 疏水层 支架 固化 装配 诱导 残留 保证 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜电解加工微结构阵列的方法，其特征在于包括下列步骤：（a）制作掩膜成型的诱导装置，包括:1.在基底（1）上制作支架（2）；2.基底（1）表面疏水处理，制作疏水层（3）；3.涂覆聚合物（4）；4.装配诱导装置；（b）诱导聚合物（4）图形化；（c）固化诱导成型的聚合物（4），在金属平板工件（5）上得到固化的图形化聚合物（7）；（d）电解加工微结构阵列, 在电解槽（10）中，以金属平板工件（5）为被电解加工的阳极、以金属平板工件（5）上图形化聚合物（7）为电解的掩膜，通入电解液（9），接通电源，在金属平板工件（5）上电解加工微结构阵列。
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