[发明专利]光伏器件的处理方法有效

专利信息
申请号: 201610634815.4 申请日: 2016-08-04
公开(公告)号: CN106449863B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 金光耀;沈培俊;王懿喆;洪俊华;陈炯 申请(专利权)人: 上海凯世通半导体股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;王聪
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种光伏器件的处理方法,该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底,该处理方法包括以下步骤:在该硅衬底中形成PN结构,其中该PN结构中包括P型掺杂层;在该P型掺杂层的表面形成钝化层;使光线透过该钝化层照射至该P型掺杂层上,该光线的波长为200nm‑3000nm,照射时间为10秒‑10小时。与现有认知完全不同的是,本发明对P型掺杂层施以特定波长的光线照射,光电转化效率不仅没有下降,反而有平均0.4%的提升,而且步骤简单,容易操作。
搜索关键词: 器件 处理 方法
【主权项】:
1.一种光伏器件的处理方法,其特征在于,该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底,该处理方法包括以下步骤:S1、在该硅衬底中形成PN结构,其中该PN结构中包括P型掺杂层;S2、在该P型掺杂层的表面形成钝化层;S3、使光线透过该钝化层照射至该P型掺杂层上,该光线的波长为280nm‑3000nm,照射时间为1小时‑4小时,光强800W/m2。
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