[发明专利]光伏器件的处理方法有效
申请号: | 201610634815.4 | 申请日: | 2016-08-04 |
公开(公告)号: | CN106449863B | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 金光耀;沈培俊;王懿喆;洪俊华;陈炯 | 申请(专利权)人: | 上海凯世通半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;王聪 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光伏器件的处理方法,该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底,该处理方法包括以下步骤:在该硅衬底中形成PN结构,其中该PN结构中包括P型掺杂层;在该P型掺杂层的表面形成钝化层;使光线透过该钝化层照射至该P型掺杂层上,该光线的波长为200nm‑3000nm,照射时间为10秒‑10小时。与现有认知完全不同的是,本发明对P型掺杂层施以特定波长的光线照射,光电转化效率不仅没有下降,反而有平均0.4%的提升,而且步骤简单,容易操作。 | ||
搜索关键词: | 器件 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光伏器件的处理方法,其特征在于,该光伏器件包括N型掺杂的硅衬底,该处理方法包括以下步骤:S1、在该硅衬底中形成PN结构,其中该PN结构中包括P型掺杂层;S2、在该P型掺杂层的表面形成钝化层;S3、使光线透过该钝化层照射至该P型掺杂层上,该光线的波长为280nm‑3000nm,照射时间为1小时‑4小时,光强800W/m2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的