[发明专利]一种在活塞环表面快速沉积DLC膜层的设备及方法有效
| 申请号： | 201610633332.2 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106011771B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;欧阳晓平;罗军;张旭;吴先映;韩然;王宇东 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/32;C23C14/16;C23C16/26;C23C16/513;C23C14/54;C23C14/56;C23C28/00 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司11453 | 代理人： | 李冬梅,苗源 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在活塞环表面快速沉积DLC膜层的设备及方法，该设备包括离子注入系统，用于纵向均匀注入离子流；真空室，其一端与离子注入系统密封连接，另一端密封连接有宽束磁过滤沉积系统的一端，宽束磁过滤沉积系统的另一端设置有FCVA沉积阴极；工装系统，用于实现活塞环工装圆筒的自转；智能控制装置，用于对离子注入和膜层沉积的过程进行控制，并用于显示测量结果，以及用于进行数据的初步处理。因此，通过实施本发明能够实现大批量、均匀地在活塞环表面镀上具有高硬度和低摩擦系数的DLC膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 活塞环 表面 快速 沉积 dlc 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种在活塞环表面快速沉积DLC膜层的设备，其特征在于，包括：离子注入系统，包括金属蒸汽离子源(MEVVA)阴极(100)和MEVVA离子源加速电极(101)，用于纵向均匀注入离子流，在活塞环抛光后的基底(201)上形成钉扎层(202)；真空室，其一端与所述离子注入系统密封连接，另一端密封连接有宽束磁过滤沉积系统(109)的一端，所述宽束磁过滤沉积系统(109)的另一端设置有FCVA沉积阴极(107)，用于在所述钉扎层(202)上沉积出金属过渡膜层(203)和DLC膜层(204)；所述真空室的底部靠近所述离子注入系统的一侧设置有真空室抽气口(102)；所述宽束磁过滤沉积系统(109)正对着所述离子注入系统设置，所述宽束磁过滤沉积系统(109)的外周布置有宽束磁场(105)，所述宽束磁过滤沉积系统(109)的管壁上开设有电离气体进气阀(106)；工装系统(104)，包括位于所述真空室内的活塞环工装圆筒和用于使所述活塞环工装圆筒自转的旋转电机(103)；智能控制装置，用于控制所述离子注入系统、所述宽束磁过滤沉积系统(109)以及所述工装系统(104)，对离子注入和膜层沉积的过程进行控制，并用于显示测量结果，以及用于进行数据的初步处理。
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