[发明专利]一种基于4‑苯基嘧啶制备铜缓蚀膜的方法有效
| 申请号： | 201610629402.7 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106167903B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨海峰;魏楠;应叶 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | C23F11/14 | 分类号： | C23F11/14 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200234 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于4‑苯基嘧啶制备铜缓蚀膜的方法，包括以下步骤取预处理后的铜电极，置入除去溶解氧的4‑苯基嘧啶溶液中，密封条件下，在铜电极表面形成缓蚀膜。与现有技术相比，本发明将缓蚀剂分子自组装到铜表面，形成自组装分子膜，方法更加绿色环保，4‑PPM缓蚀剂比较环保，原料价廉，缓蚀效果更好等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 苯基 嘧啶 制备 铜缓蚀膜 方法 | ||
【主权项】：
一种基于4‑苯基嘧啶制备铜缓蚀膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：取预处理后的铜电极，置入除去溶解氧的4‑苯基嘧啶溶液中，密封条件下，在铜电极表面形成缓蚀膜；所述的4‑苯基嘧啶溶液为浓度0.1～5mM的4‑苯基嘧啶水溶液；铜电极在4‑苯基嘧啶溶液中浸泡的时间为1‑10h，温度为室温。
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