[发明专利]DDD MOS器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610620548.5 | 申请日： | 2016-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN106169506B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DDD MOS器件结构，包括：P型衬底上方的N型埋层，N型埋层上方的N型外延，N型外延上部平列设置的N型漂移区和P阱，P阱上部平列设置N型重掺杂区和P型重掺杂区，栅氧化层位于N型漂移区和P阱上方，多晶硅栅位于栅氧化层上方，第二N型重掺杂区设置于N型漂移区上部远离多晶硅栅的一侧；其中，第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和P型重掺杂区中具有硼杂质，以及多晶硅栅下方之外的N型漂移区和P阱中具有硼杂质。本发明还公开了一种所述DDD MOS器件结构的制造方法。本发明能在不降低器件导通击穿电压的情况下，提高器件关断击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ddd mos 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种DDD MOS器件结构，包括：P型衬底上方的N型埋层，N型埋层上方的N型外延，N型外延上部平列设置的N型漂移区和P阱，P阱上部平列设置第一N型重掺杂区和P型重掺杂区，栅氧化层位于N型漂移区和P阱上方，多晶硅栅位于栅氧化层上方，第二N型重掺杂区设置于N型漂移区上部远离多晶硅栅的一侧；其特征在于:第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和P型重掺杂区中具有硼杂质，以及多晶硅栅下方之外的N型漂移区和P阱中具有硼杂质,靠近N型漂移区靠近器件表面位置硼杂质浓度高于N型漂移区其他位置的硼杂质浓度。
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