[发明专利]一种用于锑化镓单晶片的抛光方法

摘要

本发明公开了一种用于锑化镓单晶片的抛光方法。粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，压力100~200 g/cm2，转速10~40转/分钟，流量10‑50 mL/min；中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60‑100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，压力80‑150 g/cm2，转速60‑100转/分钟，流量10‑30 mL/min；精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，压力30‑100 g/cm2，转速20‑60转/分钟，流量5‑10 mL/min。抛光工艺简单、易于操作，锑化镓单晶片表面损伤小，易于清洗，表面粗糙度小于0.3 nm。

主权项

一种用于锑化镓单晶片的抛光方法，其特征在于，锑化镓单晶片的抛光分三步完成，分别是粗抛光、中抛光和精抛光，其步骤如下：第一步粗抛光：粗抛光采用氧化铈抛光垫，抛光液中含有粒径为W1的氧化铝磨料，抛光压力为100~200 g/cm2，转速10~40 转/分钟，抛光液流量为10‑50 mL/min；第二步中抛光：中抛光采用黑色聚氨酯抛光垫，抛光液中含有粒径为60‑100 nm的二氧化硅纳米磨料和氧化剂次氯酸钠，抛光压力为80‑150 g/cm2，转速为60‑100转/分钟，抛光液流量为10‑30 mL/min；第三步精抛光：精抛光采用黑色合成革抛光布，抛光液为无磨料抛光液，抛光压力为30‑100 g/cm2，转速为20‑60转/分钟，抛光液流量为5‑10 mL/min；粗抛光使用的抛光液按重量百分比由以下组分组成：W1氧化铝磨料10‑30%；助磨剂5~10%；分散剂1~10 %；其余为去离子水；中抛光使用的抛光液按重量百分比由以下组分组成：二氧化硅纳米磨料10~30%；磷酸0.01~0.2%；次氯酸钠1~10%；其余为去离子水；精抛光使用的抛光液按重量百分比由以下组分组成：双氧水0.1~10 %；PH值调节剂0.01~5%；其余为去离子水。