[发明专利]Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器

摘要

本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底上的布拉格反射层、设于布拉格反射层上的导电层、压电层、上金属电极，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层，Ⅲ族氮化物导电层与Ⅲ族氮化物压电层之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。避免了先沉积下金属电极，再在金属电极上制备压电层的过程，实现了下导电材料层和压电材料层之间的连续制备，工艺流程简单、方便，并且同为Ⅲ族氮化物的导电层上制备的压电材料晶体质量更好，压电系数更高，利用这种结构的谐振器组成的滤波器的滤波性能更好。

主权项

1.Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器，其特征在于：包含衬底(1)，设于衬底(1)上的布拉格反射层(2)、设于布拉格反射层(2)上的导电层、压电层、上金属电极(5)，所述导电层为Ⅲ族氮化物导电层(3)，所述压电层为Ⅲ族氮化物压电层(4)，Ⅲ族氮化物导电层(3)与Ⅲ族氮化物压电层(4)之间产生高迁移率二维电子气作为压电电荷的收集电极和疏运通道。