[发明专利]一种倒置体异质结有机太阳能电池有效
申请号: | 201610606323.4 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN106206954B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 崔艳霞;郝阳;童培谦;林引岳;郝玉英;李东栋;朱福荣 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属有机太阳能电池器件设计与制备的技术领域,特别是涉及一种活性层表面具有用PDMS(聚二甲基硅氧烷)模板压印的三维结构的倒置有机太阳能电池及其制造方法。一种倒置体异质结有机太阳能电池,由阴极层、电子传输层、活性层、空穴传输层、阳极层组成,阴极层为铟锡氧化物ITO,电子传输层为厚度为10±0.2纳米的ZnO,活性层为厚度为100±0.2纳米的PTB7:PC70BM,空穴传输层为厚度为3±0.2纳米的MoO3,阳极层为厚度为100±0.2纳米的银,活性层上有PDMS模板压印的三维图案。本发明还公开了具体的制作方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒置 体异质结 有机 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种倒置体异质结有机太阳能电池的方法,该倒置体异质结有机太阳能电池,由阴极层、电子传输层、活性层、空穴传输层、阳极层组成,阴极层为铟锡氧化物ITO,电子传输层为厚度为10± 0.2纳米的ZnO,活性层为厚度为100± 0.2纳米的PTB7:PC70BM,空穴传输层为厚度为3± 0.2 纳米的MoO3,阳极层为厚度为100± 0.2纳米的银,活性层上有PDMS模板压印的三维图案,三维图案为表面具有多个锥形孔的图案,其特征在于按照如下的步骤进行:步骤一、活性层溶液配制,将10单位毫克PTB7、15单位毫克PC70BM、1260单位微升氯苯CB、40单位微升1,8‑二碘辛烷DIO混合后在60℃温度下搅拌均匀,获得活性层溶液;步骤二、把氧化铟锡导电玻璃清洗干净后,用紫外光进行照射处理后作为阴极层;步骤三、在氧化铟锡导电玻璃上旋涂厚度为10±0.2纳米的ZnO层形成电子传输层,在ZnO层上旋涂活性层溶液,旋涂了ZnO层的氧化铟锡导电玻璃置于加热台上,150℃下退火5 min,之后常温静置至少5 min,然后再在ZnO层上旋涂活性层溶液,形成厚度为100± 0.2纳米的PTB7:PC70BM层即活性层;步骤四、用PDMS模板压印PTB7:PC70BM层使PTB7:PC70BM层表面形成三维图案,PDMS模板的制作过程为:取一块表面具有多个倒锥形孔的阳极氧化铝AAO为母版,将母版用氧等离子体处理后,在100摄氏度温度下,用1H,1H,2H,2H‑全氟辛基三氯硅烷作为脱模剂进行脱模处理,然后分别用去离子水和异丙醇冲洗脱模处理后的母版,除去未反应的脱模剂,将质量比10:1混合AB组分的Sylgard184 PDMS硅胶搅拌均匀,除气泡后浇注在母版上,再次除去Sylgard184 PDMS硅胶中的气泡,将母版水平静置30 分钟,使硅胶自动达到平整状态即肉眼看没有明显的凸起或凹坑,然后使母版在60摄氏度温度下烘烤使硅胶固化,将硅胶取下,切割成合适大小,浸泡在无水乙醇中用超声波清洗后,用氮气吹干形成PDMS模板,AB组分的Sylgard184 PDMS硅胶中,A组分是Silicone Elastomer,B组分是Silicone Elastomer Curring Agent 24001673921;步骤五、在有三维图案的PTB7:PC70BM层上蒸镀厚度为3±0.2纳米的MoO3层即空穴传输层,在MoO3层上蒸镀厚度为100±0.2纳米的银即阳极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学,未经太原理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610606323.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种模组线电芯托盘结构
- 下一篇:一种N型双面电池的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择