[发明专利]一种易清洗的红外截止滤光片及其镀膜方法

摘要

本发明公开了一种易清洗的红外截止滤光片及其镀膜方法，包括基板，设置在基板上的复合膜层，所述的复合膜层外设置有外膜层；所述的外膜层为SiO2＋MgF2或MgF2材料构成的膜层。本发明通过在最外层镀上一层SiO2＋MgF2或MgF2材料构成的外膜层，解决了以前使用五氧化三钛和氧化硅这两种不同折射率的材料反复沉积而成的红外截止滤光片清洗效果差的问题，杜绝了普通滤光片“表面脏污难擦拭”和“容易有脏污和灰尘点”清洗不掉的现象；外膜层的设置，克服了防水膜料不耐酸碱的弱点，有效的解决了现有技术中由于丝印、切割工序的引入在玻璃表面吸附难以擦拭的脏污等异常现象，结构较为简单，易于普及推广，且可以大大提高企业竞争力。

主权项

1.一种易清洗的红外截止滤光片，包括基板（4），设置在基板（4）上的复合膜层，其特征在于：所述的复合膜层外设置有外膜层（1）；所述的复合膜层包括交替叠合的高折射率材料层（2）和低折射率材料层（3）；所述的高折射率材料层（2）为Ti3O5材料层，所述的低折射率材料层（3）为SiO2层；所述的一种易清洗的红外截止滤光片的镀膜方法，包括以下步骤：首先，在清洗干净的基板上将五氧化三钛和氧化硅在离子源辅助的情况下反复交替叠合堆叠沉积，其中五氧化三钛的离子源辅助能量为BV：700‑1300V， IB：700‑1300mA，氧化硅的离子源辅助能量为BV：600‑1100V，IB：600‑1100mA；其次，是在最外层镀上一层SiO2＋MgF2或MgF2构成的外膜层；所述的外膜层的MgF2的加热工艺参数为：镀膜时真空度8.0E‑3Pa，厚度为10—100nm，IB电压200‑900V，电流200—900mA，成膜速率0.2—0.8nm/s，电子枪偏转电流为21mA。