[发明专利]光电器件

摘要

本发明提供一种包括光活性区域的光电器件，该光活性区域包括：包括至少一个n型层的n型区域；包括至少一个p型层的p型区域；以及设置在n型区域与p型区域之间的：没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层。该钙钛矿半导体通常吸收光。在一些实施方式中，设置在n型区域与p型区域之间的是：(i)包括支架材料和钙钛矿半导体的第一层，该支架材料典型地是多孔的，并且该钙钛矿半导体典型地被设置在支架材料的孔中；以及(ii)设置在所述第一层上的封盖层，该封盖层是所述没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层，其中封盖层中的钙钛矿半导体与第一层中的钙钛矿半导体接触。没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层(其可以是所述封盖层)典型地与n型区域或p型区域形成平面异质结。本发明还提供用于制备这样的光电器件的方法，该方法典型地包括溶液沉积或气相沉积钙钛矿。在一个实施方式中，该方法是低温方法；例如，整个方法可在不高于150℃的温度下进行。

主权项

1.一种包括光活性区域的光电器件，所述光活性区域包括：包括至少一个n型层的n型区域；包括至少一个p型层的p型区域；以及设置在所述n型区域与所述p型区域之间的：没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层，其中，所述钙钛矿半导体的层与所述n型区域或所述p型区域形成平面异质结，其中，所述钙钛矿包括三维晶体结构，以及其中，所述光电器件是发光器件。