[发明专利]一种NiOOH@CuO/Cu2O复合纳米片阵列薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610589517.8 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN106158408B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 舒霞;吴玉程;王岩;秦永强;崔接武;郑红梅;张勇 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/24;H01G11/28;H01G11/86;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 沈尚林 |
| 地址： | 230000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NiOOH@CuO/Cu2O复合纳米片阵列薄膜及其制备方法和应用。首先采用阳极氧化工艺在高纯铜材表面生长垂直于基底并相互交错排列的CuO/Cu2O纳米片阵列，然后置于硝酸镍水溶液中经过水热沉积处理，在纳米片阵列上原位沉积羟基氧化镍纳米产物，获得NiOOH@CuO/Cu2O纳米复合材料。所制备的电极材料充分发挥了CuO/Cu2O纳米片阵列和NiOOH的电化学协同作用，表现出超高比电容特性和良好的循环稳定性，制备步骤简单可控，是一种有实际应用价值的超级电容电极材料。 1 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片阵列 制备方法和应用 复合纳米片 阵列薄膜 制备 超级电容电极 纳米复合材料 硝酸镍水溶液 阳极氧化工艺 循环稳定性 羟基氧化镍 电化学 电极材料 交错排列 铜材表面 原位沉积 比电容 高纯 基底 可控 水热 沉积 垂直 生长 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种NiOOH@CuO/Cu2O复合纳米片阵列薄膜，其特征在于：以高纯铜材为基底材料，高纯铜材上垂直生长有CuO/Cu2O纳米片阵列薄膜，CuO/Cu2O纳米片的厚度为30‑50nm，CuO/Cu2O纳米片的长度100‑150nm，NiOOH均匀附着于CuO/Cu2O纳米片上。
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