[发明专利]用于多晶硅还原炉的底盘组件和多晶硅还原炉有效

专利信息
申请号: 201610587490.9 申请日: 2016-07-22
公开(公告)号: CN106044775B 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 石何武;汪绍芬;严大洲;石涛;杨永亮;姚心 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 宋合成
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于多晶硅还原炉的底盘组件和多晶硅还原炉,用于多晶硅还原炉的底盘组件包括:底盘本体,底盘本体内限定有冷却腔;多个电极,多个电极设在底盘本体上且在底盘本体上排列成多圈,每圈电极等间距设置且中心位于底盘本体的中心轴线上;多个进气端管,多个进气端管设在底盘本体上且位于相邻圈电极之间以及底盘本体的中心处;多个出气端管,多个出气端管设在底盘本体上且位于最外圈电极与最内圈电极之间;至少一个进气管,每个进气管与至少一个进气端管相连。至少一个出气管,每个出气管与至少一个出气端管相连。根据本发明实施例的用于多晶硅还原炉的底盘组件具有结构紧凑、节能高效、集成大型化、单炉产量高等优点。
搜索关键词: 用于 多晶 还原 底盘 组件
【主权项】:
1.一种用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,包括:底盘本体,所述底盘本体内限定有冷却腔;多个电极,多个所述电极设在所述底盘本体上且在所述底盘本体上排列成多圈,每圈电极等间距设置且中心位于所述底盘本体的中心轴线上,多圈电极沿所述底盘本体的径向间隔设置;多个进气端管,多个所述进气端管设在所述底盘本体上且位于相邻圈电极之间以及所述底盘本体的中心处;多个出气端管,多个所述出气端管设在所述底盘本体上且位于最外圈电极与最内圈电极之间;至少一个进气管,每个所述进气管与至少一个所述进气端管相连;至少一个出气管,每个所述出气管与至少一个所述出气端管相连;所述底盘本体的内直径为2800mm‑3000mm,所述电极为48对;所述进气端管为46个,其中,一个进气端管设在所述底盘本体的中心处,其余进气端管分布在沿所述底盘本体的径向由外至内的第一至第四圈,所述第一至第四圈进气端管设在相邻圈电极之间以及最内圈电极与所述底盘本体的中心之间,所述第一圈上分布有20个进气端管,所述第二圈上分布有15个进气端管,所述第三圈上分布有6个进气端管,所述第四圈上分布有4个进气端管。
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