[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201610585329.8 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106469758A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金成洙;金松伊;柳庚玟;闵宣基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括限定有源区的深沟槽和在有源区内突出的鳍型图案。鳍型图案具有下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部。所述半导体器件还包括围绕下部的第一场绝缘膜和形成在第一场绝缘膜上且部分地围绕上部的第二场绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：深沟槽，限定有源区；所述有源区包括突出的鳍型图案，所述鳍型图案包括下部、比下部宽度窄的上部以及形成在上部和下部之间的边界处的第一台阶部，所述上部包括第一上部和在第一上部上的第二上部；第一场绝缘膜，围绕下部；以及第二场绝缘膜，形成在第一场绝缘膜上并且以第二上部延伸到第二场绝缘膜上方的方式部分地围绕第一上部。
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