[发明专利]一种单胞厚度纳米多孔四氧化三钴纳米片阵列电催化材料在审
| 申请号： | 201610572017.3 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106025302A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘熙俊;罗俊 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/90 | 分类号： | H01M4/90;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种单胞厚度纳米多孔四氧化三钴纳米片阵列电催化材料，为在导电基底上垂直于该基底生长的掺杂金属的四氧化三钴初级纳米片阵列，在每一所述初级纳米片获得纳米多孔的纳米片，纳米片上具有多孔结构；该材料用作析氧反应的电催化剂；同时具有优异的析氢性能，可用作碱性全分解水体系的双功能催化剂。本发明是优点是：该材料可有效地降低析氧反应的过电势和起峰电位，提高单个钴原子上的转化率，并在强碱环境连续稳定工作；具有优异的析氢反应性能，应用该材料作为全分解水体系的阳极和阴极时，可有效降低槽电压；其制备方法简单、操作方便、成本低廉、对环境友好，为全分解水体系的双功能催化剂的导向性设计与性能优化提供了新的思路和策略。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 厚度 纳米 多孔 氧化 阵列 电催化 材料 | ||
【主权项】：
一种单胞厚度纳米多孔四氧化三钴纳米片阵列电催化材料，其特征在于：为在导电基底上垂直于该基底生长的掺杂金属的四氧化三钴初级纳米片阵列，在每一所述初级纳米片获得纳米多孔的纳米片，所述导电基底为钛片、镍片、泡沫镍、铜片或铁片，所述掺杂金属为锌、镍、铁或锰，掺杂金属与钴的摩尔比为0.2‑0.5：1；掺杂金属的四氧化三钴纳米片厚度为0.78‑0.87nm，纳米片上具有多孔结构。
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