[发明专利]一种单胞厚度纳米多孔四氧化三钴纳米片阵列电催化材料在审
| 申请号： | 201610572017.3 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106025302A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘熙俊;罗俊 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/90 | 分类号： | H01M4/90;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 厚度 纳米 多孔 氧化 阵列 电催化 材料 | ||
【说明书】：
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