[发明专利]二维光子准晶宽区半导体激光器结构

摘要

本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。

主权项

1.一种二维光子准晶宽区半导体激光器，包括：一衬底(01)，能够导电，材质是InP、GaAs、GaN、GaSb或InAs；一下波导(02)；一下限制层(03)，其有效折射率高于有源区，可增强光模式限制；一有源区(04)，器件发光区域，是各种半导体带间或子带间发光的有源区结构；一上限制层(05)，作用同下限制层，同时二维光子准晶制作于其上；一上波导(06)，生长于二维光子准晶制作之后；一接触层(07)，高掺杂材料，易与上电极形成欧姆接触；一钝化层(08)，包覆整个台面，起电绝缘作用，留有电注入窗口；一正面电极(09)，均匀制备在钝化层(08)之上，窗口区域与接触层(07)接触；一背面电极(10)，均匀制备在衬底(01)背面；一制作于上限制层(05)的二维光子准晶阵列(11)，其光子准晶参数、区域宽度、间隔以及是否周期性视激光器波长和波导结构而不同；其中，该二维光子准晶阵列(11)调制该二维光子准晶宽区半导体激光器横模，将腔内光模式调制成为类似相干阵列的基超模光场模式。