[发明专利]快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法

摘要

快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有窄禁带半导体紫外光电位敏传感需要遮光片的问题。该近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。制备方法一、金属氧化物粉末压片成型，制备金属氧化物靶材；二、清洗β‑SiC基片；三、采用准分子激光器辐照金属氧化物靶材，利用激光脉冲在基片上沉积金属氧化物层。本发明采用的SiC宽禁带半导体仅在紫外/近紫外光区响应，所以不需要增加遮光片，并且该传感器的位置灵敏度较高。

主权项

快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器，其特征在于该快速光电恢复响应的近紫外光电位敏传感器具有金属氧化物—SiC结构，在β‑SiC基片上采用激光脉冲沉积有厚度为10～60nm的金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、Al‑ZnO、In2O3或F‑SnO2。