[发明专利]kW级超紧凑高隔离度共面魔T及微波功率合成方法有效

专利信息
申请号: 201610551499.4 申请日: 2016-07-13
公开(公告)号: CN106229598B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 郭乐田;章勇华;黄文华;邵浩;李佳伟;巴涛 申请(专利权)人: 西北核技术研究所
主分类号: H01P5/20 分类号: H01P5/20
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王少文
地址: 71002*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种kW级超紧凑高隔离度共面魔T及微波功率合成方法,共面魔T包括位于同一平面的和端口、差端口、两个输入端口,还包括波导单元、耦合探针、同轴‑同轴波导匹配单元和同轴‑矩形波导匹配单元;耦合探针的半径及插入全高矩形波导段的长度用于调节和端口和差端口的匹配特性。TE10信号进入差端口,被等幅反相分配后从输入端口输出;TEM信号进入和端口,被等幅同相分配后从输入端口输出。本发明共面魔T解决了现有的介质微波功率合成很难满足kW级功率容量和低插损高隔离度以及尺寸体积要求,其和差端口的共面排布,在实现较宽的带宽同时,具有紧凑的横截面积,高功率容量以及小的插损。
搜索关键词: kw 紧凑 隔离 度共面魔 微波 功率 合成 方法
【主权项】:
1.一种kW级超紧凑高隔离度共面魔T,包括和端口、差端口、两个输入端口、波导单元、耦合探针,其特征在于:还包括同轴‑同轴波导匹配单元和同轴‑矩形波导匹配单元;所述波导单元包括一个全高矩形波导段、两个与全高矩形波导段窄边T形连接的半高矩形波导段、两个与半高矩形波导段分别连接的90度半高E面弯波导段、两个与半高E面弯波导连接的半高直波导段;所述差端口设置在全高矩形波导段的外端面;所述两个输入端口分别设置在与半高直矩形波导段外连接的同轴波导外端面;所述和端口通过同轴‑同轴波导匹配单元与半高矩形波导段连接;所述同轴‑矩形波导匹配单元设置在半高直波导段内且与输入端口连接;所述同轴‑同轴波导匹配单元包括依次同轴连接的介质匹配同轴波导段、第一空气匹配同轴波导段、第二空气匹配同轴波导段;所述和端口设置在介质匹配同轴波导段的外端面且与之共轴;所述耦合探针设置在半高矩形波导段内且与第二空气匹配同轴波导段共轴连接。
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