[发明专利]超紧凑高隔离度低反射波导魔T有效
申请号: | 201610550985.4 | 申请日: | 2016-07-13 |
公开(公告)号: | CN106229597B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 郭乐田;黄文华;邵浩;巴涛;李佳伟 | 申请(专利权)人: | 西北核技术研究所 |
主分类号: | H01P5/20 | 分类号: | H01P5/20 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 王少文 |
地址: | 71002*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种超紧凑高隔离度低反射波导魔T,包括两个与耦合矩形波导端面相接的位于E面中心沿H面对称分布的输入同轴波导、一个与耦合矩形波导宽边E面耦合的输出矩形波导、一个与耦合矩形波导相接的H面输出矩形波导,两个与在耦合矩形波导内部的与同轴输入波导内导体共轴连接的长方体匹配金属块,其后分别连接的三个位于E面耦合输出矩形波导对面的紧贴耦合矩形波导宽边的邻接匹配金属块,与同轴内导体连接的两组共八个匹配金属块沿H面对称分布。 | ||
搜索关键词: | 紧凑 隔离 反射 波导 | ||
【主权项】:
1.一种超紧凑高隔离度低反射波导魔T,包括耦合矩形波导、两个输入端口、差端口、和端口,其特征在于:还包括两个同轴‑矩形波导匹配单元;所述两个输入端口为同轴波导;所述差端口为E面输出矩形波导;所述和端口为H面输出矩形波导;所述两个输入同轴波导与耦合矩形波导的端面相接,且在H面输出矩形波导的H面中心线上沿E面对称分布;所述E面输出矩形波导与耦合矩形波导宽边E面耦合连接,且位于耦合矩形波导宽边所在平面的中心处;所述H面输出矩形波导与耦合矩形波导连接且截面尺寸相同;所述两个同轴‑矩形波导匹配单元设置在耦合矩形波导内,且关于耦合矩形波导中心E面对称分布,且分别与输入同轴波导的内导体连接;所述同轴‑矩形波导匹配单元包括依次连接的一个底部匹配矩形金属块、至少一个中部匹配矩形金属块、一个顶部匹配矩形金属块;所述底部匹配矩形金属块的另一端面与输入同轴波导的内导体共轴连接,且底部匹配矩形金属块的侧面均与耦合矩形波导侧面平行;所述至少一个中部匹配矩形金属块和所述顶部匹配矩形金属块均位于E面输出矩形波导对面,且紧贴耦合矩形波导宽边内侧;耦合矩形波导内的所述至少一个中部匹配矩形金属块和所述顶部匹配矩形金属块均与耦合矩形波导的同一方位的侧面紧贴;所述至少一个中部匹配矩形金属块和顶部匹配矩形金属块各自金属块宽度不变,但至少一个中部匹配矩形金属块和顶部匹配矩形金属块的宽度朝顶部方向依次减小;所述顶部匹配矩形金属块长度大于任一中部匹配矩形金属块的长度;所述至少一个中部匹配矩形金属块和所述顶部匹配矩形金属块均设置在耦合矩形波导的中部且与之平行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北核技术研究所,未经西北核技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610550985.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。