[发明专利]频率片的腐蚀方法在审

专利信息
申请号: 201610549209.2 申请日: 2016-07-13
公开(公告)号: CN106190616A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 徐亮 申请(专利权)人: 苏州普锐晶科技有限公司
主分类号: C11D1/72 分类号: C11D1/72;C11D3/60;C11D3/20;C11D3/34;C11D3/16;C11D3/37;C11D3/075;C11D7/18;C11D7/26;C11D7/32;C11D7/20;C11D7/34;H03H3/013;B08B3/
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种频率片的腐蚀方法,首先利用高效清洗液对频率片表面洁净处理,去除脂类、微生物类污渍,为腐蚀打下良好基础;再设计性质温和的腐蚀体系,结合旋转腐蚀工艺,有效对频率片进行腐蚀,腐蚀速度提高到0.3μm/min,远高于现有0.18μm/min,腐蚀后的频率片频率偏差范围从±50KHz下降到±10KHz。
搜索关键词: 频率 腐蚀 方法
【主权项】:
一种频率片的腐蚀方法,包括以下步骤:(1)将频率片置入清洗液中,清洗10~15分钟;然后置入酒精中浸泡1~2分钟,红外烘干,得到清洗后的频率片;所述清洗液由萘酚化合物、叔丁基锂、异构十三醇聚氧乙烯醚、聚丙烯酸钠、十二水磷酸氢二钠、2‑巯基苯并噻唑、水组成;(2)将过氧化钠加入水中,混匀后加入醋酸;搅拌3分钟后再加入离子液体;搅拌15~20分钟后再加入偶氮二异庚腈,搅拌3~5分钟后再加入酒石酸钾钠,搅拌4~6分钟后再加入多孔硅球,搅拌得到腐蚀体系;所述多孔硅球的平均粒径为620纳米;所述离子液体的化学结构式如下:(3)将腐蚀体系加入腐蚀桶中,腐蚀体系的高度为腐蚀桶高度的55~65%,然后加入频率片,旋转腐蚀体系;3~3.5分钟后加入絮凝液,继续旋转腐蚀体系,得到腐蚀后的频率片,即完成频率片的腐蚀;所述絮凝液由丙烯酸、双(2,3‑环氧基环戊基)醚、2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸、十六烷基三甲基氯化铵、水混合后,于70℃反应1~1.5小时得到。
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