[发明专利]一种超级结终端的设计方法有效
| 申请号： | 201610534992.5 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106098750B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 曾大杰 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙) 44394 | 代理人： | 夏龙 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于超级结技术领域，公开了一种超级结终端的设计方法，用于解决现有技术无法确定P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的最小距离而导致芯片面积大的问题。本发明该超级结终端包括N型掺杂衬底，所述N型掺杂衬底上设置有P型杂质区域和N型重掺杂区域，所述N型重掺杂区域与N型掺杂衬底连接，所述P型杂质区域和N型重掺杂区域之间最小距离的计算方法为：对于硅器件P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的距离为：2.67×1010ND‑7/8cm≤Space≤1.1×2.67×1010ND‑7/8cm。本发明在保证击穿电压不降低的情况下，得到P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的最小距离，从而减小芯片的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 终端 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级结终端的设计方法，其特征在于，该超级结终端包括N型掺杂衬底，所述N型掺杂衬底上设置有P型杂质区域和N型重掺杂区域，所述N型重掺杂区域与N型掺杂衬底连接，所述P型杂质区域和N型重掺杂区域之间需要有一定的距离，对于硅器件P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的距离(Space)为：2.67×1010ND‑7/8cm≤Space≤1.1×2.67×1010ND‑7/8cm；对于碳化硅器件P型杂质区域和N型重掺杂区域之间的距离(Space)为：1.82×1010ND‑7/8cm≤Space≤1.1×1.82×1010ND‑7/8cm；其中公式中ND为N型掺杂衬底的掺杂浓度。
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