[发明专利]一种浸没式光刻机和一种浸液流场中气泡去除方法在审
申请号: | 201610510712.7 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN107561867A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 赵丹平;聂宏飞 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅,李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种浸没式光刻机,所述硅片台上位于所述硅片外围设有至少一组对所述浸液流场形成装置执行抽排动作的抽排机构,本发明所述浸没式光刻机在硅片台上设置独立的除气泡区域,一方面,可提供较大的抽排面积以及抽排负压,提高了抽排效率,另一方面,可避免对硅片台上其它机构的不利影响,如改变硅片的温度以及使硅片产生变形等;本发明还公开了一种浸液流场中气泡去除方法,将上述抽排机构移动至所述浸液流场的下方进行除气泡,完成后,将所述抽排机构移出所述浸液流场,克服了由于浸液流场中存在气泡造成曝光缺陷的缺点,提高了曝光质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 浸没 光刻 浸液 流场中 气泡 去除 方法 | ||
【主权项】:
一种浸没式光刻机,包括主框架、从上至下依次固定在所述主框架上的照明系统、掩膜版、物镜和硅片台,以及浸液流场形成装置,所述硅片台上设置涂有感光光刻胶的硅片,所述浸液流场形成装置在所述物镜和所述硅片台之间填充浸液形成浸液流场,其特征在于,所述硅片台上位于所述硅片外围设有至少一组对所述浸液流场形成装置执行抽排动作的抽排机构。
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