[发明专利]硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法有效
申请号: | 201610510599.2 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106117472B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 张珊珊;李明;高兰雅;张俊红 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C08F292/00 | 分类号: | C08F292/00;C08F220/06;C08F220/22;C08F220/24;C08F220/14 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法,包括以下步骤:将带有硅通孔的硅片进行预处理后,置于电解质溶液中进行化学镀,即可;所述电解质溶液包括以下浓度的各组分:所述表面活性剂的浓度为不超过20g/L,所述有机单体的浓度为不超过其溶解度,所述重氮盐的浓度为0.1~10g/L,所述氟离子的浓度为0.1~8mol/L。本发明方法在F‑离子作用下,不需要其他的外加设备和温度条件,即可在硅通孔内壁上制备出均一且保型性较好的具有大深宽比的有机膜;且所述步骤简单易于操作,成本较低,适用于半导体领域和工业生产。 | ||
搜索关键词: | 硅通孔中 一步法 化学 接枝 有机 绝缘 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅通孔中一步法化学接枝有机绝缘膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:将带有硅通孔的硅片进行预处理后,置于电解质溶液中进行化学镀,即可;所述电解质溶液包括以下浓度的各组分:表面活性剂、有机单体、重氮盐、氟离子;所述表面活性剂的浓度为不超过20g/L,所述有机单体的浓度为不超过其溶解度,所述重氮盐的浓度为0.1~10g/L,所述氟离子的浓度为0.1~8mol/L;所述氟离子来源包括氢氟酸或氟化钠;所述电解质溶液的pH值不超过3,通过在电解质溶液中加入盐酸来控制pH值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610510599.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种三层护套共挤机头
- 下一篇:一种太阳能灯柱的耐高温抗氧化涂层及其制备方法