[发明专利]一种晶振和其制造方法在审
| 申请号： | 201610509143.4 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105958959A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 孙学彪;吉圣平;李明;周伟杰;羿冬冬 | 申请（专利权）人： | 维沃移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/19 |
| 代理公司： | 中山市汉通知识产权代理事务所(普通合伙) 44255 | 代理人： | 田子荣 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种晶振和其制造方法，所述晶振一种晶振，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个所述连接焊点连接，其中，所述导电上盖底面、于所述晶片上方设有预设位置，预设位置上设有绝缘层。通过所述预设位置上的绝缘层，使所述晶片与所述导电上盖绝缘，方法简单，能有效解决在跌落、滚筒等过程中，晶片与导电上盖碰撞导致对地短路，从而导致手机时序混乱等不良问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶振，包括基座、设在基座顶部的导电上盖、设在基座内的晶片以及设在基座底部的两个焊盘，所述基座于导电上盖下设有容置腔，容置腔底部设有两个连接焊点与所述焊盘对应连接，所述晶片设在所述容置腔内，晶片表面设有电极与其中一个所述连接焊点连接，其特征在于，所述导电上盖底面、于所述晶片上方设有预设位置，预设位置上设有绝缘层。
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