[发明专利]高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法有效
申请号: | 201610507286.1 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN107561201B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 冯飞;游文斌;许鹏程;李昕欣 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G01N30/60 | 分类号: | G01N30/60 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 宋缨 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法,所述制备方法包括:1)于硅衬底上制作微沟道及微流控端口;2)制作掩膜层保护所述硅衬底上的键合面;3)于所述微沟道内构筑纳米介孔氧化硅;4)将一封装盖板键合于所述硅衬底的键合面上;5)基于所需分离的组分于所述纳米介孔氧化硅表面形成相应的修饰材料。由于纳米介孔氧化硅具有较大的比表面积及孔容,且具有较好的热稳定性及机械强度,本发明将其构筑于硅基微气相色谱柱内,能极大地提高色谱柱的分离效率;纳米介孔氧化硅表面具有高密度的硅羟基(Si‑OH),可根据分离对象的不同在其表面进一步构筑具有不同分离功能的单分子层,实现所需的分离效果。 | ||
搜索关键词: | 分离 效率 硅基微气相 色谱 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高分离效率的硅基微气相色谱柱的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括步骤:于硅衬底上制作微沟道,以及于所述微沟道内构筑纳米介孔氧化硅。
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