[发明专利]一种超低功耗数模混合集成熔丝修调电路及熔丝修调方法有效
申请号: | 201610505352.1 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106209069B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 胡国宇;张瑞智;许江涛;张鸿;张杰 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H03K19/0948 | 分类号: | H03K19/0948 |
代理公司: | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人: | 张波涛;管莹 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种超低功耗数模混合集成熔丝修调电路及熔丝修调方法。利用四个反相器、四个MOS管和熔丝组成修调电路,能够有效实现熔丝修调功能,根据熔丝熔断前后的电阻大小不同输出不同的控制电平,进而控制开关管的通断选择电阻的接入与否。电路硬件开销小,功耗低,适合于超低功耗数模混合集成电路。本发明还充分利用了集成电路系统内部的上电复位信号,避免了过多的电路开销,结构简单,性能稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 功耗 数模 混合 集成 熔丝修调 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种数模混合集成熔丝修调电路,其特征在于,所述修调电路的结构如下:第一反相器(INV1)的输入端接第二MOS管(M2)的栅极,第一反相器(INV1)的输出端接第二反相器(INV2)的输入端和第三MOS管(M3)的栅极;第二反相器(INV2)的输入端还与第三MOS管(M3)的栅极连接,输出端接第一MOS管(M1)的栅极;第一MOS管(M1)的源极接电源电压(VDD),漏极分别接第二MOS管(M2)的漏极、第三MOS管(M3)的漏极以及熔丝(FUSE)的第一端;第二MOS管(M2)源极接第三反相器(INV3)的输入端和第四反相器(INV4)的输出端以及第三MOS管(M3)的源极;第三MOS管(M3)源极接第三反相器(INV3)的输入端和第四反相器(INV4)的输出端以及第二MOS管(M2)的源极;第三反相器(INV3)的输入端接第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3)的源极以及第四反相器(INV4)的输出端,输出端接第四MOS管(M4)的栅极和第四反相器(INV4)的输入端;第四反相器(INV4)的输入端接第四MOS管(M4)的栅极和第三反相器(INV3)的输出端,输出端接第二MOS管(M2)和第三MOS管(M3)的源极以及第三反相器(INV3)的输入端;第四MOS管(M4)的栅极接第三反相器(INV3)的输出端和第四反相器(INV4)的输入端,源极接电阻(R)的一端,漏极接电阻(R)的另一端;熔丝(FUSE)的第二端接公共地(GND)。
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