[发明专利]基于多组测试探针的二极管光电测试方法有效
申请号: | 201610503352.8 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106158689B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 陈建南;叶青贤 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 215600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于多组测试探针的二极管光电测试方法,包括根据每台电性测量设备连接的测试探针的组数对多个芯片进行分组,每组芯片的数量与每台电性测量设备连接的测试探针的组数相同;采用测试探针对每个芯片进行电性测试;从多组测试探针中选择一组,采用光性测量设备对一组芯片中的任一待测芯片进行光性测试,以获得待测芯片的光性参数,该组芯片与多组测试探针对应;将已测的待测芯片的光性参数作为与已测的待测芯片在同一组中的未测芯片的光性参数。本发明基于单片晶圆的光性参数分布均匀且相邻的2‑3颗芯片的光性参数非常接近的特性,根据已测的芯片的光性参数通过代值的方式获得的未被选取的芯片的光性参数很准确。 | ||
搜索关键词: | 基于 测试 探针 二极管 光电 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于多组测试探针的二极管光电测试方法,适用于二极管的晶圆测试,单片晶圆包括多个芯片,其特征在于,所述方法包括:根据每台电性测量设备连接的测试探针的组数对多个所述芯片进行分组,每组所述芯片的数量与每台所述电性测量设备连接的所述测试探针的组数相同;采用所述测试探针对每个所述芯片进行电性测试,以获得各个所述芯片的电性参数;从每台所述电性测量设备连接的多组测试探针中选择一组,采用光性测量设备对一组所述芯片中的任一待测芯片进行光性测试,以获得所述待测芯片的光性参数,该组所述芯片与多组测试探针对应;将已测的所述待测芯片的光性参数作为与已测的所述待测芯片在同一组中的未测芯片的光性参数;其中,所述采用所述测试探针对每个所述芯片进行电性测试,以获得各个所述芯片的电性参数,包括:采用分别与多台所述电性测量设备连接的多组测试探针同时对每个芯片进行电性测试,以获得各个所述芯片的电性参数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造