[发明专利]半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构在审
| 申请号： | 201610497006.3 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107546261A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 周名兵;陈振 | 申请（专利权）人： | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/207;H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半绝缘GaN薄膜及高电子迁移率晶体管外延结构，其中，该半绝缘GaN薄膜为碳和铁掺杂的半绝缘GaN薄膜层，其中，碳的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3；铁的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3。本发明操作方法简单、成本低、工作效率高，通过该方法制备的半绝缘GaN品质高、纯度高，对杂质的记忆效应小，绝缘性能好，并能有效的减少漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 gan 薄膜 电子 迁移率 晶体管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种半绝缘GaN薄膜，其特征在于，所述半绝缘GaN薄膜为碳和铁掺杂的半绝缘GaN薄膜层，其中，碳的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3；铁的掺杂浓度范围为1×1016cm‑3～1×1020cm‑3。
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