[发明专利]一种SRAM位元与非易失性存储位元组成的复合阵列模块及其读写控制方法在审
| 申请号： | 201610492987.2 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106201902A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 徐庶;陆宇 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02;G06F3/06 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SRAM位元与非易失性存储位元组成的复合阵列模块及其读写控制方法，主要包括逻辑控制模块、地址解析模块、读写驱动感应电路、SRAM阵列、NVM阵列；该模块具备更高的芯片集成度，降低了成本，也降低了数据搬移延时和功耗；该复合阵列模块可随时根据主机端需要进入休眠状态，并将数据从SRAM阵列搬移至NVM阵列存储，关闭SRAM阵列和NVM阵列，将复合阵列模块静态能耗降至最低；当数据需要重新取用时，可快速唤醒复合阵列模块，并打开SRAM阵列和NVM阵列，通过查询逻辑地址映射表的方式直接从NVM阵列中读取数据，从而不会影响系统运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 位元 非易失性 存储 组成 复合 阵列 模块 及其 读写 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM位元与非易失性存储位元组成的复合阵列模块，其特征在于包括：逻辑控制模块(1)、物理地址解析模块(2)、读写驱动感应电路(3)、SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)；逻辑控制模块(1)分别与物理地址解析模块(2)、读写驱动感应电路(3)连接；物理地址解析模块(2)分别与SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)相连；读写驱动感应电路(3)分别与SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)相连。
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