[发明专利]一种高压功率器件终端区结构

摘要

本发明属于半导体技术，特别涉及一种提高终端区耐压的高压功率器件结构。本发明主要是具有位于硅片体内的SIPOS区4和位于硅片表面的SIPOS区5以及连接SIPOS区4、SIPOS区5的SIPOS柱12，器件处于反向阻断状态下时，位于硅片表面的SIPOS区5将电场线从深P区环与N型漂移区的边界缓慢向终端外部扩展，均匀表面电场，减小表面电场峰值；同时，SIPOS柱12辅助扩展位于硅片体内的耗尽线，减小纵向电场斜率，使得纵向电场强度变化趋于平缓；SIPOS区4对体内电场进行调制，提高位于SIPOS区4处的电场强度，因此，在相同的芯片面积下，提高击穿电压。

主权项

1.一种高压功率器件终端区结构，包括N型重掺杂衬底(1)和位于N型重掺杂衬底(1)上表面的N型漂移区(2)；所述N型漂移区(2)上层两端分别具有深P型环(6)和N型重掺杂截止环(3)，所述深P型环(6)上表面具有分段的第一介质层(7)，所述第一介质层(7)上表面具有第一多晶硅(8)，且第一多晶硅(8)通过第一介质层(7)之间的间隙与深P型环(6)的上表面连接，所述N型重掺杂截止环(3)上表面具有第二介质层(11)，所述第二介质层(11)上表面具有第二多晶硅(9)，且第二多晶硅(9)的下表面还与N型重掺杂截止环(3)的上表面连接；所述N型漂移区(2)中还具有第一SIPOS区(4)，所述第一SIPOS区(4)的一端位于深P型环(6)中，另一端位于N型重掺杂截止环(3)下方；所述N型漂移区(2)的上表面具有第三介质层(10)，所述第三介质层(10)的两端分别与部分深P型环(6)上表面和N型重掺杂截止环(3)上表面接触；所述第三介质层(10)上表面具有第二SIPOS区(5)，所述第二SIPOS区(5)的两端分别位于第一多晶硅(8)和第二多晶硅(9)中；所述第一SIPOS区(4)和第二SIPOS区(5)之间通过多个等间距的条形SIPOS柱(12)相连；所述N型重掺杂衬底(1)底部与漏极等电位，所述第一多晶硅(8)与源极等电位；所述N型重掺杂衬底(1)掺杂的浓度比N型漂移区(2)的掺杂浓度大三个数量级；所述深P型环(6)的掺杂浓度比N型漂移区(2)的掺杂浓度大两个数量级。