[发明专利]监测等离子体工艺制程的等离子体处理装置和方法有效
| 申请号： | 201610487877.7 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546094B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张洁;刘身健 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种监测工艺制程的等离子体处理装置及方法，包括一处理基片的等离子体反应腔及监测基片处理制程的一监测装置，所述监测装置包括一入射光源，用于向所述反应腔内的基片表面发射脉冲入射光；一光谱仪，用于采集所述反应腔内的光信号；一数据处理装置，用于接收所述光谱仪采集到的光信号并提供周期与所述脉冲入射光周期相同的调制信号,所述调制信号具有正负两个方向，且每个周期内所述调制信号与所述背景光信号的乘积叠加后相互抵消；所述脉冲反射光信号与所述调制信号的乘积不为零；所述数据处理装置利用获得的脉冲反射光信号计算得出所述等离子体工艺制程的终点。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 等离子体 工艺 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监测工艺制程的等离子体处理装置，包括一处理基片的反应腔及监测基片处理制程的监测装置，其特征在于，所述监测装置包括：一入射光源，用于向所述反应腔内的基片表面发射脉冲入射光；一光谱仪，用于采集所述反应腔内的光信号,所述光信号包括所述脉冲入射光在基片表面的脉冲反射光信号及基片处理过程中等离子体发出的背景光信号；一数据处理装置，用于接收所述光谱仪采集到的光信号并提供周期与所述脉冲入射光周期相同的调制信号,所述调制信号具有正负两个方向，且每个周期内所述调制信号与所述背景光信号的乘积叠加后相互抵消；所述脉冲反射光信号与所述调制信号的乘积不为零；所述数据处理装置利用获得的脉冲反射光信号计算得出工艺制程的终点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610487877.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
