[发明专利]一种N型晶体硅双面太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本发明公开一种N型晶体硅双面太阳能电池结构及其制备方法，从上而下依次包括：正面金属导线、正面局部接触金属电极、正面减反射膜、正面钝化膜、P型掺杂层、N型晶硅基体、N+区、背面钝化膜、背面局部接金属电极和背面金属导线。细金属导线通过导电结合材料与局部接触金属电极结合在一起，形成一个可替代电池细栅线的导电组合体。主栅线或电极引线将电池正面和背面汇集的电流导出。电池的结构使金属与硅基体的接触面积减小，复合损耗降低，显著降低了栅线的光遮挡面积，进而提高了电池的转换效率，同时通过减少银浆用量降低了生产成本。

主权项

1.一种N型晶体硅双面太阳能电池结构，其特征在于，从上而下依次包括：正面金属导线(8)、正面局部接触金属电极(11)、正面减反射膜(1)、正面钝化膜(2)、P型掺杂层(3)、N型晶硅基体(4)、N+区(5)、背面钝化膜(6)、背面局部接金属电极(15)和背面金属导线(12)；正面金属导线(8)通过正面导电结合材料(10)与正面局部接触金属电极(11)连接形成局部悬空结构作为电池正面电极的导电组合体，并通过设置与正面金属导线(8)连接的正面主栅线(9)或正电极引线(7)将正面汇集的电流导出；背面金属导线(12)通过背面导电结合材料(14)与背面局部接触金属电极(15)连接形成局部悬空结构作为电池背面电极的导电组合体，并通过设置与背面金属导线(12)连接的背面主栅线(13)或负电极引线(16)将背面汇集的电流导出；正面局部接触金属电极(11)以规则图案排布在N型晶体硅片正面的减反射膜(1)上，正面局部接触金属电极(11)穿透N型晶体硅片正面的减反射膜(1)及钝化膜(2)与P型掺杂层(3)形成欧姆接触；背面局部接触金属电极(15)以规则图案排布在N型晶体硅片背面的钝化膜(6)上，背面局部接触金属电极(15)穿透N型晶体硅片背面的钝化膜(6)与N+区(5)形成欧姆接触；与正面局部接触金属电极(11)接触的P型掺杂层(3)为均匀掺杂层或选择性掺杂层，均匀掺杂层的方阻为50～100Ω/□；选择性掺杂层中，浅掺区域方阻为50～150Ω/□，重掺区方阻为10～50Ω/□；正面局部接触金属电极(11)分布在重掺区域分布的图形之内；与背面局部接触金属电极(15)接触的N+区(5)为均匀掺杂层或选择性掺杂层，均匀掺杂层的方阻为20～100Ω/□；选择性掺杂层中，浅掺区域方阻为50～150Ω/□，重掺区方阻为10～50Ω/□，背面局部接触金属电极(15)分布在背面的重掺杂区域分布的图形之内。