[发明专利]全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本发明一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法，自上而下依次包括：减反射膜/钝化膜、正面N+掺杂层、N型硅基体、背面掺杂层、背面钝化膜和电池电极；其中，所述的背面掺杂层由N型掺杂区与P型掺杂区间隔交替排列而成；所述的电池电极包括阵列排布的局部金属电极和细金属导线，局部金属电极穿透背面钝化膜与背面的N、P型掺杂区形成欧姆接触；细金属导线通过导电结合材料与局部金属电极结合形成局部悬空细栅线电极；电池背面的P型与N型区域的相对端各设有电极引线，用于将汇集的电流导出。本发明避免了栅线的光遮挡面积，进而提高了电池的转换效率，同时通过减少金属浆料的使用量使生产成本降低。

主权项

1.一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构，其特征在于，自上而下依次包括：正面减反射膜/钝化膜(1)、正面N+掺杂层(2)、N型硅基体(9)、背面掺杂层(3)、背面钝化膜(4)和电池电极；其中，所述的背面掺杂层(3)由P型掺杂层(3‑1)与N型掺杂层(3‑2)间隔交替排列而成；每个单独的P型掺杂层(3‑1)、N型掺杂层(3‑2)内设置独立的子电极；所述的电池电极包括局部接触金属电极(7)、细金属导线(5)和电极引线(8)；所述局部接触金属电极(7)包括正极局部接触金属电极(7‑1)和负极局部接触金属电极(7‑2)；所述细金属导线(5)包括正极细金属导线(5‑1)和负极细金属导线(5‑2)；所述电极引线(8)包括正电极引线(8‑1)和负电极引线(8‑2)；正极局部接触金属电极(7‑1)穿透背面钝化膜(4)与P型掺杂层(3‑1)形成欧姆接触；负极局部接触金属电极(7‑2)穿透背面钝化膜(4)与N型掺杂层(3‑2)形成欧姆接触；正极金属导线(5‑1)通过导电结合材料(6)将正极局部接触金属电极(7‑1)连接为电池正极的局部悬空细栅线电极，并通过正电极引线(8‑1)导出电流；负极金属导线(5‑2)通过导电结合材料(6)将负极局部接触金属电极(7‑2)连接为电池负极的局部悬空细栅线电极，并通过负电极引线(8‑2)导出电流；所述的正极局部接触金属电极(7‑1)以阵列图案排布在P型掺杂层(3‑1)之上；所述的负极局部接触金属电极(7‑2)以阵列图案排布在N型掺杂层(3‑2)之上；细金属导线(5)沿P型掺杂层与N型掺杂层上局部接触金属电极(7)的行方向拉拔并紧贴在导电结合材料(6)之上。