[发明专利]全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610469385.5 | 申请日： | 2016-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105954826B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 胡敬佩;王钦华;赵效楠;朱爱娇;林雨;曹冰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;孙周强 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件及其制备方法，能够实现直接产生圆偏振光和区分左右旋圆偏振光的作用。该结构包括基底与覆盖于基底之上刻蚀在介质层中的Z型通孔；本发明的起偏器在1.50μm ‑1.61μm波段圆二色性平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%，并具波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 超薄 二维 偏振 二色性 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全介质超薄二维圆偏振二色性器件，其特征在于：所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件由结构单元阵列组成；所述结构单元包括透光基底与覆盖于透光基底上的介质层；所述介质层设有Z型通孔；所述Z型通孔贯穿介质层的上表面与下表面；所述Z型通孔的纵向臂长为0.18μm～0.24μm，横向臂长为0.48μm～0.54μm，缝宽为0.30μm～0.33μm；所述介质层的厚度为0.23μm～0.26μm；所述全介质超薄二维圆偏振二色性器件中，每个结构单元的周期为0.97μm～1.00μm；所述介质层包括硅介质层、砷化铟介质层或者砷化镓介质层。
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