[发明专利]Al-Al2O3太阳能薄膜表面反射材料的制备方法在审
申请号: | 201610462720.9 | 申请日: | 2016-06-23 |
公开(公告)号: | CN107546278A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 司剑 | 申请(专利权)人: | 扬中市润宇电力设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司37241 | 代理人: | 刘水明 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种Al‑Al2O3高反射率太阳能薄膜表面反射材料的制备方法(1)基片清洗无水乙醇中超声波清洗10‑20分钟,去离子水清洗,清洗液中浸泡10‑20分钟,去离子水冲洗,吹干备用;(2)Al薄膜的制备采用直流磁控溅射法,所用Al靶尺寸为Ф60×4mm,纯度为99.99%,溅射气体为高纯氩,本底真空度为6‑6.2×10‑4Pa,工作压力为0.5‑0.8Pa,靶基距固定在70‑80mm,氩的流量为20‑25sccm;Al的溅射功率是55‑65W;溅射速率为10‑15nm/min;(3)Al2O3薄膜的制备采用射频磁控溅射法制备,Al2O3靶材尺寸为Ф60×4mm,纯度为99.99%,溅射气体为高纯氩,本底真空度为6‑6.2×10‑4Pa,工作压力为1.5‑2.5Pa,靶基距固定在70‑80mm,氩的流量为35‑45sccm;Al2O3的溅射功率是100‑150W,溅射速率为3‑8nm/min。本发明反射膜反射率高,耐摩擦、耐老化,并具自清洁功能。 | ||
搜索关键词: | al al2o3 太阳能 薄膜 表面 反射 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种Al‑Al2O3太阳能薄膜表面反射材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)基片的清洗:将基片放入无水乙醇中超声波清洗10‑20分钟,然后用去离子水多次清洗,再将基片放入清洗液中浸泡10‑20分钟,取出后用去离子水反复冲洗,最后吹干并立即保存于真空干燥箱中备用;(2)Al薄膜的制备:采用直流磁控溅射法,所用Al靶尺寸为Ф60×4mm,纯度为99.99%,溅射气体为高纯氩,本底真空度为6‑6.2×10‑4Pa,工作压力设为0.5‑0.8Pa,靶基距固定在70‑80mm,氩的流量为20‑25sccm;Al的溅射功率是55‑65W;溅射速率为10‑15nm/min;(3)Al2O3薄膜的制备:采用射频磁控溅射法制备,Al2O3靶材尺寸为Ф60×4mm,纯度为99.99%,溅射气体为高纯氩,本底真空度为6‑6.2×10‑4Pa,工作压力设为1.5‑2.5Pa,靶基距固定在70‑80mm,氩的流量为35‑45sccm;Al2O3的溅射功率是100‑150W,溅射速率为3‑8nm/min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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